内容详情:0001--3-10-交流小信号分析.mp4 0005--4-5-工艺仿真基础(一).mp4 0001--3-16_sdevice求解流程、Math设置与收敛性调整思路.mp4 0001--4-1_-半导体工艺技术简述.mp4 0001--工艺仿真提前梳理(临时).mp4 0002--4-2_版图绘制基础(上).mp4 0001--2.2-Trench_IGBT的建模与SWB的基本原理(二).mp4 0007--4-7-工艺仿真基础(三)(上).mp4 0001--2.1-二维MOSFET的建模与SWB的基本原理.mp4 0009--4-9基于ICWBEV的工艺仿真,实现纵向和横向设计的完美分离,提高仿真效率.mp4 0001--2-5-网格划分的基础知识与评价标准.mp4 0003--4-3-版图绘制(中)-Cell处理与实用小工具.mp4 0006--4-6-工艺仿真基础(二)-Static与Adaptive网格设置.mp4 0001--3-8-缺陷与辐照特性仿真(单粒子效应与总剂量效应).mp4 0008--4-8-工艺仿真基础(三)(下).mp4 0001--3-15_极化效应与GaN_HEMT.mp4 0001--1.3-半导体器件物理简述.mp4 0001--3-1-MOSFET器件静态与瞬态特性的求解.mp4 0001--2-3__TDR文件的后处理与SJ-LDMOS结构建模.mp4 0012--4-12_离子注入仿真(上).mp4 0001--3-14-非完全电离_各向异性与SiC_MOSFET仿真.mp4 0001--3-6_SPICE模型、混合模式与sdevice编程-一个环振的仿真.mp4 0001--1.2-半导体物理基础简述.mp4 0004--4-4-版图绘制(下)-派生图层与宏命令编写.mp4 0001--3-2.TCL编程与SVISUAL自动...等。
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